制造商: ROHM(21)

类型:

1个N沟道(6) 2个N沟道(1)

漏源电压(Vdss:

~(1) 100v(1) 20V(5) 30V(4) 45V(2) 60V(5) 750V(1) SOT-89-3(1)

连续漏极电流(Id):

~(1) 1.5A(1) 100mA(1) 105A(1) 13A(2) 1A(1) 2.5A(1) 200mA(2) 250mA(2) 2A(2) 300mA(1) 3A(2) 4A(2)

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id:

1.2Ω@1.2V,20mA(2) 16.9mΩ@18V,58A(1) 2.4Ω@10V,250mA(1) 2w(1) 420mΩ@4.5V,1A(1) 85mΩ@10V,3A(1) 92mΩ@4.5V,2.5A(1)

功率:

1.25W(1) 150mW(2) 1W(2) 312W(1) 350mW(1)

阈值电压(Vgs(th)@Id):

1.5V@1A(1)

栅极电荷(Qg@Vgs):

2.1nC@4.5V(1)

输入电容(Ciss@Vds):

95pF(1)

反向传输电容(Crss@Vds):

10pF(1)

工作温度:

-55℃~+150℃(1)

封装:

~(1) DFNWB-6-EP(2x2)(1) HSOP-8(1) SOT-23(1) SOT-3(1) SOT-323-3(2) SOT-363T(1) SOT-457(1) SOT-723(2) SOT-89-3(1) TO-247-4L(1) TO-252(1) TSMT3(2) TSMT-3(1) TSMT6(SC-95)(2) TUMT3(1) WEMT-6(1)

SPQ:

3000(18) 450(1) 8000(2)

已选条件：

场效应管（MOSFET）

21条记录

US6K1TR
ROHM

库存：1
提交询价查看详情

图片	型号	品牌	描述	交货期限	库存	操作
	US6K1TR	ROHM		线上咨询	1	提交询价查看详情